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Company
| 会社名 | 株式会社アビット・テクノロジーズ |
|---|---|
| 設立日 | 2019年2月27日 |
| 事業内容 | 独自のプラズマ技術を用いた半導体デバイス低温形成膜のプロセス、装置開発
a低温形成膜（ゲート絶縁膜,層間絶縁膜，電荷保持膜）の脱水素（緻密化）処理受託 b成膜技術の共同開発受託 c装置開発及び販売/レンタル（ライセンス）、コンサルティング |
Research Paper
| 学会名 | 第２６回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 |
|---|---|
| 題名 | ［EDIT26］プラズマCVDを用いたSiO2/GeO2/Ge MOS構造の形成技術開発 |
| 著者 | *小俣 快晴, 澤野 憲太郎, 中川 清和 (東京都市大), 荒井 哲司, 高松 利行 (アビットテクノロジーズ ) |
| Title | Development of Fabrication Technology for SiO2/GeO2/Ge MOS Structure with Plasma-enhanced CVD |
| Author | *Kaisei Omata, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa (Tokyo City Univ.), Tetsuji Arai, Toshiyuki Takamatsu (Abit Technologies) |
| 学会名 | 第２８回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 |
|---|---|
| 題名 | ［EDIT28］水素ラジカルを用いたシリコン窒化膜中水素量の制御 |
| 著者 | *小俣 晴人 (東京都市大), 中川 清和 (アビット・テクノロジーズ), 三谷 祐一郎 (東京都市大) |
| Title | Reduction of hydrogen content in silicon nitride films by hydrogen radical annealing |
| Author | *Haruto Omata (Tokyo City Univ.), Kiyokazu Nakagawa (ABIT Technologies), Yuichiro Mitani (Tokyo City Univ.) |
| 学会名 | 第２８回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 |
|---|---|
| 題名 | ［EDIT28］水素ラジカル法を用いた高品質Al2O3ゲート/Ge基板構造の形成 |
| 著者 | *渡邉 晶, 浅見 真崇, 桐原 芳治 (東京都市大), 保井 晃 (高輝度光科学研究センター), 野平 博司, 澤野 憲太郎 (東京都市大), 中川 清和 (アビット・テクノロジーズ) |
| Title | Formation of high quality Al2O3gate/Ge substrate structure Using hydrogen radical irradiation |
| Author | *Akira Watanabe, Masataka Asami, Yoshiharu Kirihara (Tokyo City Univ. Advanced Research Laboratories), Akira Yasui (JASRI), Hiroshi Nohira, Kentarou Sawano (Tokyo City Univ. Advanced Research Laboratories), Kiyokazu Nakagawa (Abit Technologies Co) |
Profile
代表取締役／CTO 中川 清和
略歴
・東京大学工学部物理工学科卒業
東京大学工学系研究科物理工学専門課程博士課程修了（工学博士）
・日立製作所、中央研究所入所
・山梨大学工学部教授に就任（平成12年3月31日付 日立製作所退社）
山梨大学工学部付属クリスタル科学研究センター センター長に就任
その間
・富山大学地域共同研究センター非常勤講師、東京大学先端科学研究センター客員教授、東京大学大学院工学系研究科非常勤講師 、
日本大学工学部非常勤講師、東京大学先端科学研究センター客員研究員、東京理科大学大学院理学研究科客員教授、
武蔵工業大学（その後東京都市大学）総合研究所客員教授
大学評価・学位授与機構専門委員、応用物理学会講演会担当理事（副委員長、委員長）、
応用物理学会評議委員、山梨県工業技術センター外部評価副委員長1期3年、委員長2期6年
・現 山梨大学名誉教授
ヘテロ構造を有する4族系半導体の結晶成長、素子作製・評価に力を入れ、世界トップの電子移動度を有する歪みSiチャネル構造、
従来素子の約30倍の正孔移動度を有する歪みGeチャネル電界効果トランジスタを実現。最近の数年間は、
SiCやGaNのワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイス作製のための新プロセス開発を行い、査読付き英語論文150編以上の成果を発表している。
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- 法令に特別の規定がある場合
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